面発光半導体レーザーとその製造方法

Surface emission semiconductor laser and its manufacturing method

Abstract

【課題】大出力、単一横モードの面発光半導体レーザーの製造の簡易化を図る。 【解決手段】同一基体上に、ゲインを有する電流注入型の発光部1と、ゲインを有することのない2次元フォトニック結晶によるDBR(Distributed Bragg Reflector)部2とを有して成り、DBR部3は、発光部2を取り囲んでリング状に、発光部2からの光波に対して導波結合する位置に配置され構成とし、発光部に対する電流注入のための、一方の電極を、2次元フォトニック結晶DBR部上の少なくとも外周部を除き、発光部上の少なくとも一部に限定的に被着形成された構成とするものである。 このように、発光部とDBR部とが平面的に異なる位置に配置した構成とすることによってこれら発光部1とDBR部2とを同一基体上に形成することができるようにして、これらをそれぞれ異なる基体上に形成することによる製造の取り扱いの不都合を回避する。 【選択図】 図1
PROBLEM TO BE SOLVED: To simplify the manufacture of a high power single transverse mode surface emission semiconductor laser. SOLUTION: A surface emission semiconductor laser is provided with, on the same substrate, a current injection type light emitting part 1 having a gain and a DBR (Distributed Bragg Reflector) part 2 comprising a two-dimensional photonic crystal having no gain. The DBR part 2 is disposed at a position on the substrate where it guides and couples light waves from the light emitting part 1 in the shape of a ring surrounding the light emitting part 1. One electrode thereof for current injection into the light emitting part is deposited in a limited manner on at least a part on the light emitting part excepting at least an external circumferential part on the two-dimensional photonic crystal DBR part. The light emitting part and the DBR part are disposed at different positions planarly. Hereby, the light emitting part 1 and the DBR part 2 can be formed on the same substrate, so that any inconvenience of a manufacturing treatment thereof caused by the formation thereof on different substrates is avoided. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

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    CN-103346478-AOctober 09, 2013中国科学院半导体研究所Gallium stibino mid-infrared circular spot output low divergence angle edge photon emission crystal laser
    JP-5709178-B2April 30, 2015国立大学法人京都大学フォトニック結晶レーザ